| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BLF7G22L-130 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 44.8dBm 2110-2170MHz | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，... | ||||||
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BLF7G22L-130,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|28A|-|950 mA|30W|... | ||||||
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BLF7G22L-130,118 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|28A|-|950 mA|... | ||||||
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BLF7G22L-160,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|28 V|36A|-|1.3 A|43W|65 ... | ||||||
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BLF7G22L-160,118 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|28 V|36A|-|1.3 A|43W... | ||||||
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BLF7G22L-160B,112 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：18 dB，输出功率：43 W，... | ||||||
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BLF7G22L-160B,118 | NXP Semiconductors | SOT-502A | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：18 dB，输出功率：43 W，... | ||||||
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BLF7G22L-200,112 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|-|-|1.62 A|55W|65... | ||||||
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BLF7G22L-200,118 | NXP Semiconductors | SOT502A | 射频MOSFET电源晶体管 Single 65V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|... | ||||||
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BLF7G22L-250P,112 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|65A|-|1.9 A|70... | ||||||
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BLF7G22L-250P,118 | NXP Semiconductors | SOT539A | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|双，共源|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|65A|-|1.9 ... | ||||||
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BLF7G22L-250PB,112 | NXP Semiconductors | SOT-539A | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2.17 GHz，增益：18.5 dB，输出功率：70 W，汲极/源极击穿电... | ||||||
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BLF7G22LS-100P,112 | NXP Semiconductors | SOT1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：19.1 dB，输出功率：20 W，... | ||||||
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BLF7G22LS-100P,118 | NXP Semiconductors | SOT1121B | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：19.1 dB，输出功率：20 W，... | ||||||
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BLF7G22LS-130,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TransMOSFET N-CH 65V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|28A|-|950 mA|30W|... | ||||||
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BLF7G22LS-130,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 TransMOSFET N-CH 65V | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）,散装|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18.5dB|28 V|28A|-|950 ... | ||||||
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BLF7G22LS-160,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|28 V|36A|-|1.3 A|43W|65 ... | ||||||
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BLF7G22LS-160,118 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.11GHz ~ 2.17GHz|18dB|28 V|36A|-|1.3 A|43W... | ||||||
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BLF7G22LS-160B,112 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：18 dB，输出功率：43 W，... | ||||||
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BLF7G22LS-160B,118 | NXP Semiconductors | SOT-502B | 射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：2 GHz to 2.2 GHz，增益：18 dB，输出功率：43 W，... | ||||||
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