| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMF290XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-323 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMF290XN,115 | NXP Semiconductors | SC-70 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMT21EN,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET 30 V, 7.4 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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PMT21EN,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET 30 V, 7.4 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，... | ||||||
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PMT29EN,115 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET 30 V, 6 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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PMT29EN,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET 30 V, 6 A N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：4000，... | ||||||
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PMV117EN T/R | NXP Semiconductors | SOT-23 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMV117EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PMV160UP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 111,220 | MOSFET P-CH -20 V -1.2 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 1.2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：2... | ||||||
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PMV16UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET Small Signal MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：5.8 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PMV20XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET Small Signal MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：4.8 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PMV213SN T/R | NXP Semiconductors | TO-236AB | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续... | ||||||
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PMV213SN,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 344,565 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏极连续... | ||||||
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PMV22EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET Small Signal MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.2 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PMV28UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 20 V 3.3 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.3 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：32 mO... | ||||||
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PMV30UN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMV30XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 20 V 3.2 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，漏极连续电流：3.2 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mO... | ||||||
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PMV31XN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH TRENCH 20V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMV32UP,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 2,924 | MOSFET P-CH -20 V -4 A | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 ... | ||||||
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PMV37EN,215 | NXP Semiconductors | SOT-23（TO-236AB） | MOSFET N-CH 30 V 3.1 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：3.1 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：36 mO... | ||||||
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