| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PMN45EN /T2 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.... | ||||||
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PMN45EN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.... | ||||||
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PMN45EN,135 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.... | ||||||
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PMN45EN,165 | NXP Semiconductors | SC-74，SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：5.... | ||||||
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PMN48XP,115 | NXP Semiconductors | 6-TSOP | MOSFET P-CH -20 V -4.1 A | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 4.1 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）：5... | ||||||
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PMN48XP,125 | NXP Semiconductors | SC-74，SOT-457 | MOSFET 20V 4.1A P-channel Trench MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel，... | ||||||
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PMN49EN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PMN49EN,165 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PMN50XP /T2 | NXP Semiconductors | TSOP | MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：... | ||||||
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PMN50XP,165 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TRENCH 30V G3-TAPE2 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电流：... | ||||||
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PMN55LN /T3 | NXP Semiconductors | SOT-457 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMN55LN,135 | NXP Semiconductors | SC-74 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR280UN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
SOT416.jpg)
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PMR280UN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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PMR290UNE,115 | NXP Semiconductors | SC-75，SOT-416 | MOSFET 20V 700 MA N-CH TRENCH MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：700 mA，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PMR290XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR290XN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR370XN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR370XN,115 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏极连续电... | ||||||
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PMR400UN T/R | NXP Semiconductors | SOT-416 | MOSFET UTRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，漏极连续电流... | ||||||
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