| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STB40N20 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 200 V 0.38 Ohm 40 A STripFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB40NF10LT4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB40NF10T4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB40NF20 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET Low charge STripFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB40NS15T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 150 Volt 40 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB42N65M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-ch 650 Volt 33Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB45N65M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB45NF06 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB45NF06LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB45NF06T4 | STMicroelectronics | TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA | MOSFET N-Ch, 60V-0.022ohms 38A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB45NF3LLT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 30 Volt 27 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB4N62K3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 993 | MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3 | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：620 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB4NB80 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB4NB80T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 800 Volt 4 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB4NK60Z-1 | STMicroelectronics | I2PAK | MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB4NK60ZT4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,421 | MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB50N25M5 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Channel 150V to 400V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB50NE10L | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET RO 511-STB40NF10L | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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STB50NE10T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB50NF25 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIF | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电... | ||||||
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