| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STB18N55M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 550V 0.8 Ohm Mdmesh V 13A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：550 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB18N65M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB18NF25 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB18NF30 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 460 | MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：330 V，漏极连续电流：18 A，电... | ||||||
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STB18NM60N | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13 A MDmesh | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STB18NM80 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-channel 800 V MDMesh | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB190NF04T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 40 Volt 190 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB19NB20 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 200 Volt 19 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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STB19NF20 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 50 | MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB19NM65N | STMicroelectronics | D2PAK | 776 | MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB200N04 | STMicroelectronics | MOSFET NCh 40V 0.0035U 120A | |||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：1000，... | ||||||
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STB200N4F3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB200N6F3 | STMicroelectronics | D2PAK | 292 | MOSFET N-channel 60 V 3 m 120 A TO-22 | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STB200NF03T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 30 Volt 120 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB200NF04L | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB200NF04L-1 | STMicroelectronics | I2PAK | MOSFET N Ch 40V 3mOhm 120A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB200NF04T4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB20N95K5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A SuperMESH 5 | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：950 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB20NF06LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET POWER MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB20NK50ZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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