| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPC8A02-H(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 16A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPC8A03-H(TE12LQM) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 15A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPC8A04-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-ch/SBD 30V 18A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：18 A，配置：Si... | ||||||
|
|
TPC8A04-H(TE12L,QM | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 18A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
TPC8A05-H(TE12L,QM | Toshiba | 8-SOP（5.5x6.0） | MOSFET MOSFET+SBD, 30V, 10A, SOP-8 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，... | ||||||
|
|
TPC8A05-H(TE12LQM | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 10A 1.9W 15nC | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPC8A06-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOP（5.5x6.0） | MOSFET N-Ch 30V FET 12A 1.9W 19nC 0.0129 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPCA8003-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET PW TR N-Ch 30V 40A 45W 5.1mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
.JPG)
|
TPCA8004-H(TE12LQM | Toshiba | SOP-8 | MOSFET Promotions N-Ch 30V 40A 45W 3.5mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPCA8005-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 27A Rdson=0.009Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPCA8006-H(TE12LQM | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 100V 18A Rdson=0.067Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
.jpg)
|
TPCA8007-H(TE12L,Q | Toshiba | - | MOSFET N-Ch 100V 20A 0.003 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
TPCA8008-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET N-Ch 250V 4A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
TPCA8009-H(TE12LQM | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 150V 7A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
|
|
TPCA8010-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET N-Ch 200V 5.5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续... | ||||||
|
|
TPCA8010-H(TE12LQMXX | Toshiba | MOSFET N-CH FET 3.7nC 100uA 200V VDSS 5.5A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPCA8011-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET N-Ch 20V 40A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
|
|
TPCA8012-H(TE12LQM | Toshiba | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 40A Rdson 0.0037 Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPCA8014-H(TE12LQM | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 40V 30A Rdson=0.009Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPCA8015-H(TE12LQM | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 40V 35A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
308/1326 首页 上页 [303] [304] [305] [306] [307] [308] [309] [310] [311] [312] [313] 下页 尾页
