| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PD85035-E | STMicroelectronics | PowerSO-10RF（成形引线） | MOSFET POWER R.F. N-Ch Trans | ||
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|LDMOS|-|870MHz|17dB|13.6 V|8A|-|350 mA|15W|40 V|-|Pow... | ||||||
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PD3R1600-7 | Diodes Inc. | PowerDI? 323 | MOSFET Standard Rectifier PDI323 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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PSMN002-25B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PSMN002-25P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PSMN003-25W,127 | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET RAIL MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电流：100 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PSMN003-30B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30P | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN003-30P,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-36B /T3 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
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PSMN004-36B,118 | NXP Semiconductors | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET TAPE13 MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：36 V，闸/源击穿电压：15 V，漏极连续电流：75... | ||||||
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PSMN004-55W | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-55W,127 | NXP Semiconductors | TO-247-3 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-60B /T3 | NXP Semiconductors | SOT-404 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-60B,118 | NXP Semiconductors | D2PAK | 670 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN004-60P,127 | NXP Semiconductors | TO-220AB | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PSMN005-25D /T3 | NXP Semiconductors | SOT-428 | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
SOT428.JPG)
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PSMN005-25D,118 | NXP Semiconductors | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 15 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN005-30K /T3 | NXP Semiconductors | SO-8 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PSMN005-30K,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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