| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FDB15N50 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | 1,162 | MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸... | ||||||
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FDB16AN08A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 735 | MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
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FDB20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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FDB20AN06A0_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET N-Channel PT 6V 45A 2 mOhm | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/... | ||||||
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FDB2532 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 150V N-Channel QFET Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDB2532_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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FDB2552 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 622 | MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDB2552_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB | 180 | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，漏极连续电流：37 A，电... | ||||||
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FDB2570 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDB2572 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel UltraFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸... | ||||||
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FDB2572_Q | Fairchild Semiconductor | TO-263 | MOSFET N-Channel UltraFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 2... | ||||||
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FDB2614 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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FDB2670 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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FDB2710 | Fairchild Semiconductor | D2PAK（TO-263） | MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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FDB28N30TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 300V N-Channel | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：300 V，闸... | ||||||
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FDB33N25TM | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET 250V N-Ch MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：250 V，闸... | ||||||
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FDB3502 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 897 | MOSFET 75V N-Channel PowerTrench | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/... | ||||||
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FDB3632 | Fairchild Semiconductor | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Channel PowerTrench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸... | ||||||
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FDB3632_F085 | Fairchild Semiconductor | TO-263AB-3 | 180 | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，... | ||||||
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