| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SOT223-1.jpg)
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PHT4NQ10T,135 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHT6N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
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PHT6N06LT,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
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PHT6N06T /T3 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHT6N06T,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHT6NQ10T /T3 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHT6NQ10T,135 | NXP Semiconductors | SOT-223 | 22,568 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHT8N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电流：3.5 A... | ||||||
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PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors | SC-73 | MOSFET N-CH TRENCH 55V 7.5A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU101NQ03LT | NXP Semiconductors | IPAK | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
SOT533.jpg)
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PHU101NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU108NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET TRENCH<=30 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/源极 RDS（... | ||||||
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PHU11NQ10T,127 | NXP Semiconductors | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET TUBE MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：10 V，闸/源击穿电压：6 V，漏极连续电流：0.03 A，电阻汲极/源极 RDS（导通）... | ||||||
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PHU66NQ03LT | NXP Semiconductors | IPAK | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU66NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU77NQ03T,127 | NXP Semiconductors | I-Pak | MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin(3+Tab) | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Rail，工厂包装数量：75，... | ||||||
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PHU78NQ03LT | NXP Semiconductors | IPAK | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU78NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | MOSFET MOSFET | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHU97NQ03LT,127 | NXP Semiconductors | I-Pak | MOSFET Trans MOSFET N-CH 25V 75A 3-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：75 A，电阻汲极/... | ||||||
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PHW80NQ10T | NXP Semiconductors | TO-247 | MOSFET N-CH TRENCH 100V 80A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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