| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FDMA7670 | Fairchild Semiconductor | 6-MicroFET（2x2） | 682 | MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDMA7672 | Fairchild Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | 3,227 | MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDMA8878 | Fairchild Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | 18,943 | MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，漏极连续电流：9 A，电阻汲... | ||||||
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FDMA8884 | Fairchild Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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FDMA905P | Fairchild Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | 4,353 | MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：12 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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FDMA910PZ | Fairchild Semiconductor | 6-WDFN 裸露焊盘 | 13,790 | MOSFET P-CHAN -20V -9.4A | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：-20 V，漏极连续电流：- 9.4 ... | ||||||
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FDMB2307NZ | Fairchild Semiconductor | 6-MLP（2x3） | MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，配置：Dual Common Drain，最大工作温度：+... | ||||||
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FDMB3800N | Fairchild Semiconductor | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） | 13,515 | MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/... | ||||||
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FDMB3900AN | Fairchild Semiconductor | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） | MOSFET 25V Dual N-Chanenl | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，漏极连续电流：7 A，电阻汲... | ||||||
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FDMB506P | Fairchild Semiconductor | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） | MOSFET LOW_VOLTAGE | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，... | ||||||
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FDMB668P | Fairchild Semiconductor | 8-PowerWDFN | MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，... | ||||||
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FDMC15N06 | Fairchild Semiconductor | 8-MLP（3.3x3.3） | MOSFET UltraFET 55V, 15A | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，漏极... | ||||||
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FDMC2512SDC | Fairchild Semiconductor | - | 3,000 | MOSFET 25V N-Channel Dual Cool PowerTrench SyncFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：25 V，漏... | ||||||
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FDMC2514SDC | Fairchild Semiconductor | Dual Cool ? 33 | MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDMC2523P | Fairchild Semiconductor | 8-MLP（3.3x3.3） | MOSFET -150V P-Channel QFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 150 V... | ||||||
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FDMC2610 | Fairchild Semiconductor | 8-PowerWDFN | 2,516 | MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸... | ||||||
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FDMC2674 | Fairchild Semiconductor | 8-PowerWDFN | 3,105 | MOSFET LOW_VOLTAGE | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：220 V，闸... | ||||||
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FDMC3020DC | Fairchild Semiconductor | Dual Cool ? 33 | MOSFET 30V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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FDMC3300NZA | Fairchild Semiconductor | 8-Power33（3x3） | MOSFET 20V 8A 26 OHM MONOLITHIC COMM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/... | ||||||
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FDMC3612 | Fairchild Semiconductor | 8-PowerWDFN | 3,840 | MOSFET 100V PowerTrench MOSFET | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏... | ||||||
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