| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMP2540UCB9-7 | Diodes Inc. | 9-UFBGA，WLBGA | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 40mOhm -25V -5.2A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 25 V，漏极连续电流：- 4 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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DMP3008SFG-13 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP3008SFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | 78 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP3010LK3-13 | Diodes Inc. | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V TO252 T&R 2.5K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP3010LPS-13 | Diodes Inc. | PowerDI5060-8 | MOSFET P-CH -30V VBR 1KV 2.18W PD Min RDS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP3015LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SO | MOSFET P-Channel 2.5W | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3020LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5,898 | MOSFET P-Channel 2.5W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMP3028LFDE-13 | Diodes Inc. | 6-PowerUDFN | 457,393 | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 5.... | ||||||
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DMP3028LFDE-7 | Diodes Inc. | 6-PowerUDFN | 248,970 | MOSFET 30V P-Ch Enh FET 32mOhm -10V -6.8A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流：- 5.... | ||||||
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DMP3030SN-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 11,120 | MOSFET 30V 700mA | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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DMP3035LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET SINGLE P-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 25... | ||||||
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DMP3035SFG-7 | Diodes Inc. | 8-PowerVDFN | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP3056LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | 50,363 | MOSFET P-Channel 1.25W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3056LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 16,316 | MOSFET PMOS-DUAL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3056LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 6,029 | MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3098L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 148,830 | MOSFET P-Channel 1.25W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3098LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET PMOS-SINGLE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3098LSD-13 | Diodes Inc. | 8-SO | 2,500 | MOSFET PMOS-DUAL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3098LSS-13 | Diodes Inc. | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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DMP3100L-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET SINGLE P-CHANNEL | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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