| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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DMP2104V-7 | Diodes Inc. | SOT-563，SOT-666 | 22,256 | MOSFET -20V -860mA | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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DMP210DUDJ-7 | Diodes Inc. | SOT-963 | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP2123L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 428,367 | MOSFET P-Channel 1.4W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2130L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 28,523 | MOSFET P-Channel 1.4W | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2130LDM-7 | Diodes Inc. | SOT-23-6 | MOSFET P-Channel | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2160U-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 203,338 | MOSFET SINGLE P-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2160UFDB-7 | Diodes Inc. | U-DFN2020-6（B 类） | 195,434 | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2160UW-7 | Diodes Inc. | SC-70，SOT-323 | 50,521 | MOSFET SINGLE P-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP21D0UFB4-7B | Diodes Inc. / Zetex | 3-XFDFN | MOSFET 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP21D0UFB-7 | Diodes Inc. | 3-UFDFN | MOSFET MOSFET P-CH | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP21D0UFD-7 | Diodes Inc. | 3-UDFN | 5,835 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3 T&R 3K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP21D5UFB4-7B | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 15,386 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP21D5UFD-7 | Diodes Inc. | X1-DFN1212-3 | MOSFET P-Ch Enh Mode FET 1.0Ohm -20V -600mA | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，漏极连续电流：- 600 mA，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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DMP2215L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 204,981 | MOSFET P-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2225L-7 | Diodes Inc. | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-Channel 1.08W | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2240UDM-7 | Diodes Inc. | SOT-26 | 299,456 | MOSFET Dual P-Channel | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP2240UW-7 | Diodes Inc. | SOT-323 | MOSFET P-Channel .25W | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12... | ||||||
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DMP22D4UFA-7B | Diodes Inc. | 3-XFDFN | 134,821 | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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DMP22D6UT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 41,244 | MOSFET SINGLE P-CHANNEL | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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DMP2305U-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | MOSFET P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 ... | ||||||
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