| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRFPS3815PBF | International Rectifier | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 260nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：30 V，... | ||||||
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IRFPS38N60L | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET N-Chan 600V 38 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS38N60LPBF | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET N-Chan 600V 38 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS40N50L | Vishay/Siliconix | TO-274AA | MOSFET N-Chan 500V 46 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS40N50LPBF | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET N-Chan 500V 46 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS40N60K | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET N-Chan 600V 40 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS40N60KPBF | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET N-Chan 600V 40 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS43N50K | Vishay/Siliconix | TO-274AA | MOSFET N-Chan 500V 47 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFPS43N50KPBF | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | 1 | MOSFET N-Chan 500V 47 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFR010 | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR010PBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR010TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR010TRLPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR010TRPBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR010TRRPBF | Vishay/Siliconix | DPAK | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR014 | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR014PBF | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR014TR | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR014TRL | Vishay/Siliconix | D-Pak | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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IRFR014TRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 5,275 | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：60 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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