| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRF820STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF820STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF820STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF820STRRPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,596 | MOSFET N-Chan 500V 2.5 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF8252PBF | International Rectifier | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8252TRPBF | International Rectifier | 8-SO | MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：25 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF830 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRF830_R4943 | Fairchild Semiconductor | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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IRF8302MTR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8302MTRPBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8304MTR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8304MTRPBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | 24,636 | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | |
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8306MTR1PBF | International Rectifier | DirectFET? 等容 MX | MOSFET MOSFT 30V Gen 3.6mOhm mx 25nC Og | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20... | ||||||
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IRF8306MTRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 25nC | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8308MTR1PBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF8308MTRPBF | International Rectifier | DIRECTFET? MX | MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET | ||
| 参数：制造商：International Rectifier，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏... | ||||||
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IRF830A | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830AL | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830ALPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | 385 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRF830APBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 6,944 | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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