| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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MMBZ5229ELT3G | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.3V 225mW | ||
| 参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.3 V,电压容差:5 %,齐纳电流:10 mA,功率耗散:300 m... | ||||||
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MMBZ5230B | Fairchild Semiconductor | SOT-23-3 | 稳压二极管 4.7V 0.35W Zener | ||
| 参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗... | ||||||
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MMBZ5230B_D87Z | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.7V 0.35W Zener | ||
| 参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗... | ||||||
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MMBZ5230B_Q | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.7V 0.35W Zener | ||
| 参数:制造商:Fairchild Semiconductor,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:350 mW,最大... | ||||||
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MMBZ5230B_S00Z | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.7V 0.35W Zener | ||
| 参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗... | ||||||
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MMBZ5230B-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 稳压二极管 4.7V 350mW | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:350 mW,最大反... | ||||||
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MMBZ5230B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 1,704 | 稳压二极管 4.7V 350mW | |
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:350 mW,最大反... | ||||||
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MMBZ5230BLT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3(TO-236) | 稳压二极管 4.7V 225mW | ||
| 参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:10 mA,功率耗散:300 m... | ||||||
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MMBZ5230BLT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3(TO-236) | 56,767 | 稳压二极管 4.7V 225mW | |
| 参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:10 mA,功率耗散:300 m... | ||||||
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MMBZ5230BLT3 | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.7V 225mW | ||
| 参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:10 mA,功率耗散:300 m... | ||||||
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MMBZ5230BLT3G | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 4.7V 225mW | ||
| 参数:制造商:ON Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:10 mA,功率耗散:300 m... | ||||||
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MMBZ5230BS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 675 | 稳压二极管 4.7V 200mW | |
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:200 mW,最大反... | ||||||
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MMBZ5230BS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 4.7V 200mW | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:200 mW,最大反... | ||||||
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MMBZ5230BT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 4.7V | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,功率耗散:150 mW,最大反向漏泄电流:5 uA,... | ||||||
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MMBZ5230BT-7-F | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 4.7V | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,功率耗散:150 mW,最大反向漏泄电流:5 uA,... | ||||||
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MMBZ5230BTS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 4.7V | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,功率耗散:200 mW,最大反向漏泄电流:5 uA,... | ||||||
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MMBZ5230BTS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 4.7V | ||
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,功率耗散:200 mW,最大反向漏泄电流:5 uA,... | ||||||
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MMBZ5230B-V-GS08 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 2470 | 稳压二极管 4.7 Volt 0.3W 5% | |
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,电压温度系数:0.03 % / C,齐纳电流:20 mA,功率... | ||||||
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MMBZ5230B-V-GS18 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 4.7 Volt 0.3 Watt 5% | ||
| 参数:制造商:Vishay,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,电压温度系数:0.03 % / C,功率耗散:300 mW,最... | ||||||
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MMBZ5230BW-7 | Diodes Inc. | - | 2,754 | 稳压二极管 4.7V 200mW | |
| 参数:制造商:Diodes Inc.,产品种类:稳压二极管,RoHS:否,齐纳电压:4.7 V,电压容差:5 %,齐纳电流:20 mA,功率耗散:200 mW,最大反... | ||||||
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