| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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MMBZ5225BT-7-F | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BTS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BTS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225B-V-GS08 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 3.0 Volt 0.3W 5% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 0.075 % / C，齐纳电流：20 mA，功... | ||||||
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MMBZ5225B-V-GS18 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 3.0 Volt 0.3 Watt 5% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 0.075 % / C，功率耗散：300 mW，... | ||||||
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MMBZ5225BW-7 | Diodes Inc. | - | 4,081 | 稳压二极管 3V 200mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BW-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 稳压二极管 3V 200mW | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：200 mW，最大反向漏... | ||||||
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MMBZ5225C-V-GS08 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 3.0 Volt 0.3W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：2 %，电压温度系数：- 0.075 % / C，齐纳电流：20 mA，功... | ||||||
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MMBZ5225C-V-GS18 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 3.0 Volt 0.3 Watt 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：2 %，电压温度系数：- 0.075 % / C，功率耗散：300 mW，... | ||||||
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MMBZ5226B | Fairchild Semiconductor | SOT-23-3 | 稳压二极管 3.3V 0.35W Zener | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗... | ||||||
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MMBZ5226B_D87Z | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 3.3V 0.35W Zener | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗... | ||||||
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MMBZ5226B_Q | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 3.3V 0.35W Zener | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：350 mW，最大... | ||||||
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MMBZ5226B-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 稳压二极管 3.3V 350mW | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：350 mW，最大反... | ||||||
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MMBZ5226B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 71,869 | 稳压二极管 3.3V 350mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：350 mW，最大反... | ||||||
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MMBZ5226BLT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 稳压二极管 3.3V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5226BLT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 39,819 | 稳压二极管 3.3V 225mW | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5226BLT3 | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 3.3V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5226BLT3G | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 3.3V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5226BS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 3.3V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：25 uA... | ||||||
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MMBZ5226BS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 4,315 | 稳压二极管 200MW 3.3V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3.3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：25 uA... | ||||||
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