| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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MMBZ5223B_Q | Fairchild Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 2.7V 0.35W Zener | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，齐纳电流：20 mA，功率耗散：350 mW，最大... | ||||||
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MMBZ5223B-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 稳压二极管 350MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：350 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 11,630 | 稳压二极管 350MW 2.7V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：350 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BLT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 稳压二极管 2.7V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5223BLT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 140,975 | 稳压二极管 2.7V 225mW | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 m... | ||||||
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MMBZ5223BS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 11,984 | 稳压二极管 200MW 2.7V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BT-7-F | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BTS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BTS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BW-7 | Diodes Inc. | SOT-323 | 稳压二极管 200MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5223BW-7-F | Diodes Inc. | SOT-323 | 稳压二极管 200MW 2.7V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：75 uA... | ||||||
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MMBZ5225B-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 稳压二极管 350MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：350 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 48,652 | 稳压二极管 350MW 3.0V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：350 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BLT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 稳压二极管 3V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW，... | ||||||
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MMBZ5225BLT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 20,928 | 稳压二极管 3V 225mW | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW，... | ||||||
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MMBZ5225BS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 9,170 | 稳压二极管 200MW 3.0V | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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MMBZ5225BT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 3.0V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：3 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：50 uA，最... | ||||||
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