| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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MMBZ5257B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 5,500 | 稳压二极管 33V 350mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：3.8 mA，功率耗散：350 mW，最大反... | ||||||
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MMBZ5257BLT1 | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 稳压二极管 33V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW... | ||||||
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MMBZ5257BLT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 31,799 | 稳压二极管 33V 225mW | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW... | ||||||
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MMBZ5257BLT3 | ON Semiconductor | SOT-23 | 稳压二极管 33V 225mW | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW... | ||||||
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MMBZ5257BLT3G | ON Semiconductor | SOT-23 | 1645 | 稳压二极管 33V 225mW | |
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW... | ||||||
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MMBZ5257BS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BT-7 | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BT-7-F | Diodes Inc. | SOT-523 | 稳压二极管 150MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：150 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BTS-7 | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BTS-7-F | Diodes Inc. | SOT-363 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257B-V-GS08 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 33 Volt 0.3W 5% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，电压温度系数：0.092 % / C，齐纳电流：3.8 mA，功... | ||||||
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MMBZ5257B-V-GS18 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 33 Volt 0.3 Watt 5% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，电压温度系数：0.092 % / C，功率耗散：300 mW，最... | ||||||
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MMBZ5257BW-7 | Diodes Inc. | SOT-323 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257BW-7-F | Diodes Inc. | SOT-323 | 稳压二极管 200MW 33V | ||
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，功率耗散：200 mW，最大反向漏泄电流：0.1 uA... | ||||||
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MMBZ5257C-V-GS08 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 33 Volt 0.3W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.092 % / C，齐纳电流：3.8 mA，功... | ||||||
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MMBZ5257C-V-GS18 | Vishay Semiconductors | SOT-23 | 稳压二极管 33 Volt 0.3 Watt 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.092 % / C，功率耗散：300 mW，最... | ||||||
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MMBZ5257ELT1G | ON Semiconductor | SOT-23-3（TO-236） | 稳压二极管 ZEN REG .225W 33V | ||
| 参数：制造商：ON Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，齐纳电流：10 mA，功率耗散：300 mW... | ||||||
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MMBZ5258B-7 | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 19,794 | 稳压二极管 36V 350mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：否，齐纳电压：36 V，电压容差：5 %，齐纳电流：3.4 mA，功率耗散：350 mW，最大反... | ||||||
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MMBZ5258B-7-F | Diodes Inc. | SOT-23-3 | 30,186 | 稳压二极管 36V 350mW | |
| 参数：制造商：Diodes Inc.，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：36 V，电压容差：5 %，齐纳电流：3.4 mA，功率耗散：350 mW，最大反... | ||||||
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