| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BZV55C2V0 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 2.0 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2 V，电压容差：6 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄电... | ||||||
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BZV55C2V2 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 2.2 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.2 V，电压容差：6 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55C2V4 | Taiwan Semiconductor | 1500 | 稳压二极管 2.4 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.4 V，电压容差：6 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-C2V4 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.4 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 1.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZV55-C2V4,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 22,362 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.4 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 1.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZV55-C2V4,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.4 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 1.6 mV / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZV55C2V7 | Taiwan Semiconductor | 1500 | 稳压二极管 2.7 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：7 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏... | ||||||
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BZV55-C2V7 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C2V7 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C2V7,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 35,953 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C2V7,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：2.7 V，电压容差：5 %，电压温度系数：- 2 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55C30 | Taiwan Semiconductor | 1500 | 稳压二极管 30 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：30 V，电压容差：7 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-C30 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：30 V，电压容差：5 %，电压温度系数：25.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C30 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：30 V，电压容差：5 %，电压温度系数：25.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C30,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 2,056 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：30 V，电压容差：5 %，电压温度系数：25.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C30,135 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：30 V，电压容差：5 %，电压温度系数：25.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55C30-TP | Micro Commercial Components (MCC) | 迷你型 MELF | 稳压二极管 30V 220Ohms | ||
| 参数：制造商：Micro Commercial Components (MCC)，RoHS：是，齐纳电压：30 V，齐纳电流：5 mA，功率耗散：500 mW，最大反... | ||||||
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BZV55C33 | Taiwan Semiconductor | 1500 | 稳压二极管 33 Volt 500mW 5% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：6 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZV55-C33 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-13 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，电压温度系数：28.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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BZV55-C33,115 | NXP Semiconductors | LLDS；MiniMelf | 6,373 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：33 V，电压容差：5 %，电压温度系数：28.7 mV / K，功率耗散：500 mW，最大反向... | ||||||
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