| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PZU9.1BL,315 | NXP Semiconductors | DFN1006-2 | 稳压二极管 40W SNGL 200mA 9.55V Single Zener diodes | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel，配置：Single，工厂包装数量：10000，... | ||||||
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PZU9.1DB2,115 | NXP Semiconductors | 5-TSSOP | 稳压二极管 ZD Dual Parallel 9.04V 275mW 5-Pin | ||
| 参数：制造商：NXP，包装形式：Reel，配置：Single，工厂包装数量：3000，... | ||||||
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PZM10NB,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：10 V，电压容差：6 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：200 nA，最大齐纳阻抗：... | ||||||
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PZM10NB1,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：9.66 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：200 nA，最大齐纳阻... | ||||||
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PZM10NB2 T/R | NXP Semiconductors | SC-59 | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反... | ||||||
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PZM10NB2,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：9.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：200 nA，最大齐纳阻... | ||||||
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PZM10NB2A,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：9.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：220 mW，最大反向漏泄电流：200 nA，最大齐纳阻... | ||||||
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PZM10NB3,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：10.33 V，电压容差：2 %，电压温度系数：6.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：200 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM11NB,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：11 V，电压容差：5 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳阻抗：... | ||||||
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PZM11NB1,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：10.66 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM11NB2 T/R | NXP Semiconductors | SC-59 | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大... | ||||||
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PZM11NB2,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：10.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM11NB2A,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：10.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：7.4 mV / K，功率耗散：220 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM12NB,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：12.01 V，电压容差：5 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM12NB1,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：11.66 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM12NB2 T/R | NXP Semiconductors | SC-59 | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大... | ||||||
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PZM12NB2,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大... | ||||||
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PZM12NB2A,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 PZM12NB2A/SOT346/REEL7// | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：11.99 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：220 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM12NB3,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：12.34 V，电压容差：2 %，电压温度系数：8.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐纳... | ||||||
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PZM13NB,115 | NXP Semiconductors | SMT3; MPAK | 稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，齐纳电压：13.215 V，电压容差：6 %，电压温度系数：9.4 mV / K，功率耗散：300 mW，最大反向漏泄电流：100 nA，最大齐... | ||||||
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