图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BZV49-C6V8,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 1,700 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:6.8 V,电压容差:5 %,电压温度系数:3 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄电流:... | ||||||
BZV49-C75 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:74.5 V,电压容差:5 %,电压温度系数:80.2 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏... | ||||||
BZV49-C75,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 2,750 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:74.5 V,电压容差:5 %,电压温度系数:80.2 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏... | ||||||
BZV49-C7V5 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:7.45 V,电压容差:5 %,电压温度系数:4 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄电流... | ||||||
BZV49-C7V5,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 900 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:7.45 V,电压容差:5 %,电压温度系数:4 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄电流... | ||||||
BZV49-C8V2,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 102 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:8.2 V,电压容差:5 %,电压温度系数:4.6 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄电... | ||||||
BZV49-C9V1 T/R | NXP Semiconductors | SOT-89 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:9.05 V,电压容差:5 %,电压温度系数:5.5 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄... | ||||||
BZV49-C9V1,115 | NXP Semiconductors | SOT-89 | 7,150 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:9.05 V,电压容差:5 %,电压温度系数:5.5 mV / K,功率耗散:1 W,最大反向漏泄... | ||||||
BZV55B10 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 10 Volt 500mW 2% | |||
参数:制造商:Taiwan Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:10 V,电压容差:2 %,功率耗散:500 mW,最大反向漏泄... | ||||||
BZV55-B10,115 | NXP Semiconductors | LLDS;MiniMelf | 16,794 | 稳压二极管 500MW 10V | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:10 V,电压容差:2 %,电压温度系数:6.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55B11 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 11 Volt 500mW 2% | |||
参数:制造商:Taiwan Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:11 V,电压容差:2 %,功率耗散:500 mW,最大反向漏泄... | ||||||
BZV55-B11 /T3 | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:11 V,电压容差:2 %,电压温度系数:7.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55-B11 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:11 V,电压容差:2 %,电压温度系数:7.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55-B11,115 | NXP Semiconductors | LLDS;MiniMelf | 1 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:11 V,电压容差:2 %,电压温度系数:7.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55-B11,135 | NXP Semiconductors | LLDS;MiniMelf | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:11 V,电压容差:2 %,电压温度系数:7.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55B12 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 11 Volt 500mW 2% | |||
参数:制造商:Taiwan Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:12 V,电压容差:2 %,功率耗散:500 mW,最大反向漏泄... | ||||||
BZV55-B12 T/R | NXP Semiconductors | SOD-80 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-7 | |||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:12 V,电压容差:2 %,电压温度系数:8.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55-B12,115 | NXP Semiconductors | LLDS;MiniMelf | 9,744 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:12 V,电压容差:2 %,电压温度系数:8.4 mV / K,齐纳电流:5 mA,功率耗散:50... | ||||||
BZV55-B12,135 | NXP Semiconductors | LLDS;MiniMelf | 920 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT TAPE-13 | ||
参数:制造商:NXP,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:12 V,电压容差:2 %,电压温度系数:8.4 mV / K,功率耗散:500 mW,最大反向漏... | ||||||
BZV55B13 | Taiwan Semiconductor | LL-34 | 稳压二极管 13 Volt 500mW 2% | |||
参数:制造商:Taiwan Semiconductor,产品种类:稳压二极管,RoHS:是,齐纳电压:13 V,电压容差:2 %,功率耗散:500 mW,最大反向漏泄... |
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