| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BZT52H-C68,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 25 | 稳压二极管 375MW 68V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：72 V，电压容差：5 %，电压温度系数：72.7 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散... | ||||||
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BZT52H-C6V2,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 5,797 | 稳压二极管 375MW 6.2V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：6.6 V，电压容差：6 %，电压温度系数：2.05 mV / K，功率耗散：830 mW，最大反... | ||||||
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BZT52H-C6V8 T/R | NXP Semiconductors | SOD-123F | 稳压二极管 375MW 6.8V | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：6.8 V，电压容差：5 %，电压温度系数：2.85 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗... | ||||||
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BZT52H-C6V8,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 1,601 | 稳压二极管 375MW 6.8V | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：6.8 V，电压容差：5 %，电压温度系数：2.85 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗... | ||||||
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BZT52H-C75,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：79 V，电压容差：6 %，电压温度系数：81 mV / K，功率耗散：830 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZT52H-C7V5 T/R | NXP Semiconductors | SOD-123F | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.45 V，电压容差：6 %，电压温度系数：3.9 mV / K，功率耗散：830 mW，最大反... | ||||||
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BZT52H-C7V5,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 3,287 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：7.9 V，电压容差：5 %，电压温度系数：3.9 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散... | ||||||
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BZT52H-C8V2 T/R | NXP Semiconductors | SOD-123F | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.2 V，电压容差：6 %，电压温度系数：4.7 mV / K，功率耗散：830 mW，最大反向... | ||||||
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BZT52H-C8V2,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 6,608 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：8.7 V，电压容差：5 %，电压温度系数：4.7 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散... | ||||||
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BZT52H-C9V1 T/R | NXP Semiconductors | SOD-123F | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT TAPE-7 | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.05 V，电压容差：6 %，电压温度系数：5.4 mV / K，功率耗散：830 mW，最大反... | ||||||
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BZT52H-C9V1,115 | NXP Semiconductors | SOD-123F | 6,949 | 稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT | |
| 参数：制造商：NXP，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：9.6 V，电压容差：5 %，电压温度系数：5.4 mV / K，齐纳电流：250 mA，功率耗散... | ||||||
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BZT55B10 | Taiwan Semiconductor | MiniMelf | 稳压二极管 10 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZT55B10-GS08 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 1,896 | 稳压二极管 10 Volt 0.5W 2% | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.065 % / K，功率耗散：500 mW，最... | ||||||
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BZT55B10-GS18 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 稳压二极管 10 Volt 0.5W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：10 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.065 % / K，功率耗散：500 mW，最... | ||||||
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BZT55B11 | Taiwan Semiconductor | MiniMelf | 稳压二极管 11 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZT55B11-GS08 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 稳压二极管 11 Volt 0.5W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.07 % / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZT55B11-GS18 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 稳压二极管 11 Volt 0.5W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：11 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.07 % / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZT55B12 | Taiwan Semiconductor | MiniMelf | 稳压二极管 12 Volt 500mW 2% | ||
| 参数：制造商：Taiwan Semiconductor，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，功率耗散：500 mW，最大反向漏泄... | ||||||
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BZT55B12-GS08 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 6,445 | 稳压二极管 12 Volt 0.5W 2% | |
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.07 % / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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BZT55B12-GS18 | Vishay Semiconductors | SOD-80 QuadroMELF | 稳压二极管 12 Volt 0.5W 2% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：稳压二极管，RoHS：是，齐纳电压：12 V，电压容差：2 %，电压温度系数：0.07 % / K，功率耗散：500 mW，最大... | ||||||
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