| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FS35R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 65A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FS35R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FS400R07A1E3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT-MODULES | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，零件号别名：FS400R07A1E3BOSA1 FS400R07A1E3HOSA1 F... | ||||||
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FS400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 1200V 400A 6-PACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FS450R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK+ | 2 | IGBT 模块 1200V 450A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FS450R17KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK+ | IGBT 模块 1700V 450A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FS450R17KE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 450A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS50R067YL4 | Infineon Technologies | IS17/65 | IGBT 模块 600V 50A EASY PACK 2 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，集电极—射极饱和电压：1.95 V，栅极—射极... | ||||||
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FS50R06KE3 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 600V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FS50R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 60A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FS50R06YL4 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 55A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FS50R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK 2 | 3 | IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FS50R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FS50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS50R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS50R12W2T4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS50R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FS50R17KE3_B17 | Infineon Technologies | Module | 5 | IGBT 模块 IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射... | ||||||
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GA050ABPL12 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 模块 1200V 50A Phase Leg IGBT Module | |||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Bulk，... | ||||||
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