| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FS10R06VE3_B2 | Infineon Technologies | EasyPACK750 | IGBT 模块 EASYPACK 750 15.0A 1.55V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，... | ||||||
|
|
FS10R06VL4_B2 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模块 N-CH 600V 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
|
|
FS10R06XL4 | Infineon Technologies | EASY1 | IGBT 模块 N-CH 600V 17A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
|
|
FS10R12VT3 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FS10R12YE3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，... | ||||||
|
|
FS10R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FS150R06KE3 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 IGBT MODULES 600V | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
FS150R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPACK | 20 | IGBT 模块 1200V 150A FL BRIDGE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FS150R12KE3G | Infineon Technologies | EconoPACK+ | IGBT 模块 1200V 150A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FS150R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FS150R12KT4 | Infineon Technologies | Econo 3 | 2 | IGBT 模块 IGBT MODULE 1200V, 150A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FS150R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 150A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FS150R12PT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 150A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FS150R17KE3G | Infineon Technologies | EconoPACK+ | IGBT 模块 1700V 150A 3-PHASE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FS150R17PE4 | Infineon Technologies | EconoPACK | IGBT 模块 IGBT 1700V 150A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：1.95 V，在... | ||||||
|
|
FS15R06VE3 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
|
|
FS15R06VE3_B2 | Infineon Technologies | Module | 25 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极... | ||||||
|
|
FS15R06VL4_B2 | Infineon Technologies | EASY750 | IGBT 模块 N-CH 600V 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
|
|
FS15R06XE3 | Infineon Technologies | EASY1 | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
|
|
FS15R06XL4 | Infineon Technologies | EASY1 | 9 | IGBT 模块 N-CH 600V 20A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的... | ||||||
48/87 首页 上页 [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] 下页 尾页
