| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FP20R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 17 | IGBT 模块 N-CH 600V 27A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
FP20R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Module | 10 | IGBT 模块 | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25... | ||||||
|
|
FP15R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 PIM Econo2B 1200V, 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FP15R12NT3 | Infineon Technologies | EUPEC | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP15R12W1T3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
|
|
FP15R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP15R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FP15R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 15A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FP15R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 20 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在... | ||||||
|
|
FP15R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
FP15R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 22A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
FP15R06YE3_B4 | Infineon Technologies | Module | IGBT 模块 IGBT 600V 15A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射极最大电压 VCEO：60... | ||||||
|
|
FP15R12KE3 | Infineon Technologies | EASY2 | 17 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 27A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
FP40R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 4 | IGBT 模块 1200V 40A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
|
|
FP40R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | 4 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP40R12KT3G | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 55A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP35R12KS4CG | Infineon Technologies | EconoPIM3 | IGBT 模块 1200V 35A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
|
|
FP35R12KT4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP35R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FP35R12KT4_B15 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 35A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
37/87 首页 上页 [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] 下页 尾页
