| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FP10R06KL4 | Infineon Technologies | EasyPIM2 | 17 | IGBT 模块 600V 10a Easy Mount | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP10R06KL4_B3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电流... | ||||||
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FP10R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP10R06YE3 | Infineon Technologies | EASY2 | IGBT 模块 N-CH 600V 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FP10R06YE3_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP10R12NT3 | Infineon Technologies | EUPEC | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 18A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP10R12W1T3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP10R12W1T4 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 20A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP10R12W1T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP10R12W1T4_B3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP10R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 8 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP10R12YT3_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 10A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP25R12KE3 | Infineon Technologies | EconoPIM2 | 1 | IGBT 模块 1200V 25A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP25R12KT3 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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FP25R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 25A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP25R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Module | 3 | IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Modules，集电极—发射极最大电压 VCEO：120... | ||||||
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FP25R12W2T4 | Infineon Technologies | EASY2B | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 39A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
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FP25R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 25A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FP20R06KL4 | Infineon Technologies | EasyPIM2 | 10 | IGBT 模块 600V 20A EASY MOUNT | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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FP20R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 27A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Array 7，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
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