| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
MDI145-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 145 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI150-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 150 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI200-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 200 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI300-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 300 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI400-12E4 | Ixys | Y3-Li | IGBT 模块 400 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI550-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 550 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MDI75-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 75 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
|
|
MKI100-12E8 | Ixys | E3 | IGBT 模块 IGBT (NPT3) | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
|
|
MKI100-12F8 | Ixys | E3 | 5 | IGBT 模块 100 Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：5，... | ||||||
|
|
MKI50-06A7 | Ixys | E2 | IGBT 模块 50 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
MKI50-12F7 | Ixys | E2 | 6 | IGBT 模块 50 Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：6，... | ||||||
|
|
MKI75-06A7 | Ixys | E2 | IGBT 模块 75 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
MKI75-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模块 75 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
MKI75-12E8 | Ixys | E3 | IGBT 模块 75 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续... | ||||||
|
|
MKI80-06T6K | Ixys | E1 | IGBT 模块 80 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：10，... | ||||||
|
|
MWI25-12A7T | Ixys | E2 | IGBT 模块 25 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
MWI30-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模块 30 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电... | ||||||
|
|
MWI35-12A7T | Ixys | E2 | IGBT 模块 35 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
|
|
MWI451-17E9 | Ixys | - | IGBT 模块 6-PK IGBT MODULE IN E9-PK 1700V 475A | ||
| 参数：制造商：IXYS，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
|
|
MWI50-06A7T | Ixys | E2 | IGBT 模块 50 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电... | ||||||
27/87 首页 上页 [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] 下页 尾页
