| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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F12-25R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 25A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F12-35R12KT4G | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 35A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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MID100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 100 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID145-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 145 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID150-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 150 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID200-12A4 | Ixys | Y3-DCB | 2 | IGBT 模块 200 Amps 1200V | |
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID300-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 300 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID400-12E4 | Ixys | Y3-Li | IGBT 模块 400 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID400-12E4T | Ixys | Y3-Li | IGBT 模块 400 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID550-12A4 | Ixys | Y3-DCB | IGBT 模块 550 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MID75-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 75 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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MIO1200-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模块 1200 Amps 2500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO1200-33E10 | Ixys | E10 | IGBT 模块 1200 Amps 3300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO1200-33E11 | Ixys | E11 | IGBT 模块 1200 Amps 3300V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO1500-25E10 | Ixys | E10 | IGBT 模块 1500 Amps 2500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO1800-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模块 1800 Amps 1700V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO2400-17E10 | Ixys | E10 | IGBT 模块 2400 Amps 1700V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MIO600-65E11 | Ixys | E11 | IGBT 模块 600 Amps 6500V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，包装形式：Bulk，工厂包装数量：1，... | ||||||
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MITA30WB600TMH | Ixys | MiniPack2 | IGBT 模块 CBI IGBT MODULES IN MINIPACK 2 | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，封装形式：MiniPack 2，包装形式：Box，安装风格：SMD/SMT，工厂... | ||||||
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MDI100-12A3 | Ixys | Y4-M5 | IGBT 模块 100 Amps 1200V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的... | ||||||
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