| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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F3L30R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Module | 11 | IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 30A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：3-Phase，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电... | ||||||
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F3L50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F3L75R07W2E3_B11 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 75A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F4-150R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 600V 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-150R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 180A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 ... | ||||||
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F4-400R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-100R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 130A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-200R06KL4 | Infineon Technologies | Econo 3 | IGBT 模块 N-CH 600V 225A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-25R12NS4 | Infineon Technologies | Econo 1 | IGBT 模块 IGBT-MODULES | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-25R12YT3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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F4-30R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | 78 | IGBT 模块 N-CH 600V 48A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C... | ||||||
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F4-35R12NS4 | Infineon Technologies | Econo 1 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-100R06KL4 | Infineon Technologies | EconoPACK 2B | IGBT 模块 1200V 100A LOW LOSS FOUR PACK | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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F4-75R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | 8 | IGBT 模块 N-CH 600V 100A | |
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-75R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-75R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F4-50R06W1E3 | Infineon Technologies | EASY1B | IGBT 模块 N-CH 600V 75A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
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F4-50R12KS4 | Infineon Technologies | Econo 2 | 2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 70A | |
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 ... | ||||||
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F4-50R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 70A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Quad，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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F5-75R06KE3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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