| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FD400R12KE3_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT Module | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 400A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter ... | ||||||
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FD400R16KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1600V 400A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Emitter ... | ||||||
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FD800R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.2KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FD800R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM73 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电... | ||||||
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FD800R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 800A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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FD800R33KF2C | Infineon Technologies | IHM190 | IGBT 模块 3300V 800A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FD800R33KF2C-K | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.3KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FD800R33KL2C-K_B5 | Infineon Technologies | IHV190 | IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1.5KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：3300 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FD900R12IP4D | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 900A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD300R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 IGBT-MODULE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电... | ||||||
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FD300R12KS4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
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FD300R12KS4_B5 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD1600/1200R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | - | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：1，... | ||||||
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FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 1000A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD1000R33HE3-K | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD1200R12IE4_B1_S1 | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FD1200R17KE3-K | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.6KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FD1200R17KE3-K_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 1.7KA | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single Dual Collector Dual Emitter，集电极—发... | ||||||
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FD200R12KE3 | Infineon Technologies | IS5a ( 62 mm )-5 | IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.... | ||||||
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