| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF400R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF400R16KF4 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1600V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF400R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM73 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 600A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF400R17KF4C | Infineon Technologies | IGBT 模块 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF400R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 650A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
|
|
FF400R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF400R33KF2C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 3300V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF401R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | 模块 | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 650A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：... | ||||||
|
|
FF401R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1700V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
|
|
FF450R06ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 600V 550A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续集电极电... | ||||||
|
|
FF450R12IE4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 450A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF450R12KE4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 520A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF450R12KT4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF450R12ME3 | Infineon Technologies | EconoDUAL-3 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—... | ||||||
|
|
FF450R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 450A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF450R17IE4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 450A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF450R17ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 605A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
|
|
FF450R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 450A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FF50R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 50A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
FD400R12KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集... | ||||||
21/87 首页 上页 [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] 下页 尾页
