| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FF300R12KE3_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A | |||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，工厂包装数量：10，... | ||||||
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FF300R12KE4 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 460A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF300R12KE4_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R12KT3 | Infineon Technologies | 62 mm | 5 | IGBT 模块 1200V 300A DUAL | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF300R12KT3_E | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R12KT4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF300R12ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 500A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF300R12ME4 | Infineon Technologies | 6 | IGBT 模块 IGBT 1200V 300A | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—... | ||||||
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FF300R12MS4 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 370A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF300R17KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 404A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF300R17ME3 | Infineon Technologies | Econo D | IGBT 模块 N-CH 1.7KV 375A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF300R17ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 1700V 300A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF400R06KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 600V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF400R06ME3 | Infineon Technologies | IGBT 模块 IGBT 600V 400A | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF400R07KE4 | Infineon Technologies | Module | IGBT 模块 IGBT Module 400A 650V | ||
| 参数：制造商：Infineon，RoHS：是，产品：IGBT Silicon Modules，配置：IGBT-Inverter，集电极—发射极最大电压 VCEO：65... | ||||||
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FF400R12KE3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 ... | ||||||
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FF400R12KE3_B2 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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FF400R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模块 1200V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF400R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模块 1200V 400A DUAL | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 模块，RoHS：否，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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FF400R12KT3 | Infineon Technologies | 62 mm | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，在25 C的连续集电极... | ||||||
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