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点击查看VS-GB70LA60UF参考图片 VS-GB70LA60UF Vishay Semiconductors SOT-227 IGBT 模块 600 volt 70 amp
参数:制造商:Vishay,产品种类:IGBT 模块,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看VS-GB70NA60UF参考图片 VS-GB70NA60UF Vishay Semiconductors SOT-227 IGBT 模块 600 volt 70 amp
参数:制造商:Vishay,产品种类:IGBT 模块,RoHS:是,包装形式:Tube,...
VS-GB75YF120N Vishay Semiconductors ECONO2 4PACK IGBT 模块 1200 Volt 75 Amp
参数:制造商:Vishay,产品种类:IGBT 模块,RoHS:否,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Quad,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
VS-70MT060WHTAPBF Vishay Semiconductors MTP IGBT 模块 600 Volt 70 Amp Warp2 Speed IGBT
参数:制造商:Vishay,产品种类:IGBT 模块,RoHS:是,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Dual,集电极—发射极最大电压 VCEO:...
12MS06012L43W25536 Infineon Technologies IGBT 模块 2 x 3 x 350A AC at 500V AC Water Cool
参数:制造商:Infineon,...
12MS08012L43G24969 Infineon Technologies IGBT 模块 2 x 3 x 400A AC at 500V AC Air Cooled
参数:制造商:Infineon,...
12MS08012L43W25612 Infineon Technologies IGBT 模块 2 x 3 x 450A AC at 500V AC Water Cool
参数:制造商:Infineon,...
12MS08017F63G22903 Infineon Technologies IGBT 模块 3 x 277A AC at 690V AC Air Cooled
参数:制造商:Infineon,...
12MS8017F6C3W23483 Infineon Technologies IGBT 模块 3 x 800A AC at 690V AC Water Cool
参数:制造商:Infineon,...
SIGC158T120R3 Infineon Technologies IGBT 模块 1200V 150A IGBT
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,...
DF400R12KE3 Infineon Technologies 62 mm IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集...
DD1000S33HE3 Infineon Technologies IGBT 模块 IHM-B Module 3300V 1000A
参数:制造商:Infineon,...
DD242S08K Infineon Technologies IGBT 模块 242A, 800V
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 模块,RoHS:是,产品:IGBT Silicon Modules,...
DD400S17K4C Infineon Technologies IGBT 模块 400A 1600V
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,...
DDB2U30N08VR Infineon Technologies EASY750 20 IGBT 模块 N-CH 600V 25A
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,在25 C的连续集电...
DDB6U75N16W1R Infineon Technologies IGBT 模块 Bridge Rectifer 1600V 605A
参数:制造商:Infineon,...
DDB6U75N16YR Infineon Technologies EASY2 16 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 69A
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在2...
DDB6U25N16VR Infineon Technologies EASY750 IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,在25 C的连续集...
DDB6U30N08VR Infineon Technologies EASY750 34 IGBT 模块 N-CH 600V 26A
参数:制造商:Infineon,产品:IGBT Silicon Modules,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,在25 C的连续集电...
DF1200R12IE4_B1_S1 Infineon Technologies IGBT 模块
参数:制造商:Infineon,...

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