| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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BR502L-G | Comchip Technology | 4-SIP，带散热器 | 桥式整流器 VR=200V IAV=50A | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，... | ||||||
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BR504L-G | Comchip Technology | 4-SIP，带散热器 | 桥式整流器 VR=400V IAV=50A | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，... | ||||||
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BR50504-G | Comchip Technology | 4-方形，BR | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 50A 400V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR50504W-G | Comchip Technology | 4-方形，BR-W | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 25A 400V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR506L-G | Comchip Technology | 4-SIP，带散热器 | 桥式整流器 VR=600V IAV=50A | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，... | ||||||
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BR508L-G | Comchip Technology | 4-SIP，带散热器 | 桥式整流器 VR=800V IAV=50A | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，... | ||||||
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BR605 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：50 V，最大 RMS 反向电压：35 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电流：... | ||||||
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BR61 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 100 V - 6 A BRIDGE RECTIFIERS | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，峰值反向电压：100 V，最大 RMS 反向电压：70 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电流：125 A，... | ||||||
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BR610 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 1KP/700R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：1000 V，最大 RMS 反向电压：700 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌... | ||||||
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BR62 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 1,814 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 200P/140R | |
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：200 V，最大 RMS 反向电压：140 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电... | ||||||
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BR64 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 400P/280R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：400 V，最大 RMS 反向电压：280 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电... | ||||||
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BR66 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：600 V，最大 RMS 反向电压：420 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电... | ||||||
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BR68 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-6 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 800P/560R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：800 V，最大 RMS 反向电压：560 V，正向连续电流：6 A，最大浪涌电... | ||||||
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BR10005-G | Comchip Technology | 4-方形，BR | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 50V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR10005W-G | Comchip Technology | 4-方形，BR-W | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 10V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR1004-G | Comchip Technology | 4-方形，BR | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 400V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR1004W-G | Comchip Technology | 4-方形，BR-W | 桥式整流器 DIODE RECT BRIDGE 10A 400V | ||
| 参数：制造商：Comchip Technology，RoHS：是，包装形式：Tray，工厂包装数量：500，... | ||||||
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BR1005 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-10 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：50 V，最大 RMS 反向电压：35 V，正向连续电流：10 A，最大浪涌电流... | ||||||
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BR101 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-10 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：100 V，最大 RMS 反向电压：70 V，正向连续电流：10 A，最大浪涌电... | ||||||
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BR1010 | GeneSiC Semiconductor | 4-方形，BR-10 | 桥式整流器 SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V10A 1KP/700R | ||
| 参数：制造商：GeneSiC Semiconductor，RoHS：是，峰值反向电压：1000 V，最大 RMS 反向电压：700 V，正向连续电流：10 A，最大浪... | ||||||
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