| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NTS0102GD,125 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT996-2（2x3） | 转换 - 电压电平 XLATE REC 6.5V 250mW | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，电源电压-最大：+ 6.5 V，电源电压-最小：- 0.5 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：XSON-8，最大功率耗散... | ||||||
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NTS0102GF,115 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT1089（1.35x1） | 3,660 | 转换 - 电压电平 DUAL XCVR OPEN DRAIN AUTO DIRECT SENSING | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，... | ||||||
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NTS0102GT,115 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT833-1（1.95x1） | 847 | 转换 - 电压电平 DUAL SUPP 4.8ns 3.6V | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.6 ns，电源电压-最大：3.6 V，电源电压-最小：1.65 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SM... | ||||||
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NTS0102GU8,125 | NXP Semiconductors | 8-XQFN（1.4x1.2） | 转换 - 电压电平 XLATE REC 6.5V 250mW | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，电源电压-最大：+ 6.5 V，电源电压-最小：- 0.5 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：XQFN-8，最大功率耗散... | ||||||
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NTS0103GU10,115 | NXP Semiconductors | 10-XQFN（1.4x1.8） | 1,927 | 转换 - 电压电平 XLATE REC 6.5V 250mW | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，电源电压-最大：+ 6.5 V，电源电压-最小：- 0.5 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：XQFN-10，最大功率耗... | ||||||
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NTS0104BQ,115 | NXP Semiconductors | 14-DHVQFN（2.5x3） | 转换 - 电压电平 5.8ns 5.5V 250mW OD | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：5.8 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.65 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SM... | ||||||
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NTS0104GU12,115 | NXP Semiconductors | 12-XQFN（2x1.7） | 28,252 | 转换 - 电压电平 5.8ns 5.5V 250mW OD | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：5.8 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.65 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：XQ... | ||||||
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NTS0104PW,118 | NXP Semiconductors | 14-TSSOP | 55,251 | 转换 - 电压电平 5.8ns 5.5V 250mW OD | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：5.8 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.65 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SM... | ||||||
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NTB0101GF,132 | NXP Semiconductors | 6-XSON，SOT891（1x1） | 转换 - 电压电平 4.2ns 6.5V 250mW OD | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.2 ns，电源电压-最大：6.5 V，电源电压-最小：- 0.5 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：S... | ||||||
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NTB0101GM,115 | NXP Semiconductors | 6-XSON，SOT886（1.45x1） | 1,948 | 转换 - 电压电平 4.2ns 5.5V 250mW OD | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.2 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.2 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SMD... | ||||||
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NTB0101GW,125 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP | 11,431 | 转换 - 电压电平 5.9ns 5.5V 250mW | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：5.9 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.2 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：SC-... | ||||||
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NTB0102DP,125 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP | 288 | 转换 - 电压电平 4.4ns 6.5V 250mW | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，类型：Bidirectional Voltage Level Translators，传播延迟时间：4.4 ns，电源电流：3.5... | ||||||
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NTB0102GD,125 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT996-2（2x3） | 转换 - 电压电平 5.9ns 6.5V 250mW | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：5.9 ns，电源电压-最大：+ 6.5 V，电源电压-最小：- 0.5 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式... | ||||||
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NTB0102GF,115 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT1089（1.35x1） | 转换 - 电压电平 DUAL XCVR AUTO DRECT SENSING; 3-STATE | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，包装形式：Reel，工厂包装数量：5000，... | ||||||
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NTB0102GT,115 | NXP Semiconductors | 8-XSON，SOT833-1（1.95x1） | 48 | 转换 - 电压电平 DUAL SUPP 4.8ns 3.6V | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.8 ns，电源电压-最大：3.6 V，电源电压-最小：1.2 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SMD... | ||||||
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NTB0104BQ,115 | NXP Semiconductors | 14-DHVQFN（2.5x3） | 61,776 | 转换 - 电压电平 4.2ns 5.5V 250mW OD Transceiver | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.2 ns，电源电压-最大：5.5 V，电源电压-最小：1.2 V，最大工作温度：+ 125 C，安装风格：SMD... | ||||||
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NTB0104GU12,115 | NXP Semiconductors | 12-XQFN（2x1.7） | 2,525 | 转换 - 电压电平 DUAL SUPP 4.8ns 3.6V | |
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，传播延迟时间：4.8 ns，电源电压-最大：3.6 V，电源电压-最小：1.2 V，最大工作温度：+ 125 C，封装形式：XQF... | ||||||
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NXS0104PWJ | Nexperia USA Inc. | 14-TSSOP | 15,770 | NXS0104PW/SOT402/TSSOP14 | |
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|转换收发器|1.65V ~ 5.5V|4|-40... | ||||||
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NXS0104GU12X | Nexperia USA Inc. | 12-XQFN（1.7x2） | 7,061 | NXS0104GU12/SOT1174/XQFN12 | |
| 参数：Nexperia USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|转换收发器|1.65V ~ 5.5V|4|-40... | ||||||
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SLG7NT4192V | Renesas Design Germany GmbH | 20-TQFN（2x3） | 7,891 | CMIC, POWER GOOD GENERATOR LOGIC | |
| 参数：Renesas Design Germany GmbH|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带|-|在售|电源良好发生器|3.135V... | ||||||
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