| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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TGF2022-48 |
TriQuint Semiconductor
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18-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-20GHz 4.8mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：8 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小值... |
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TGF2022-60 |
TriQuint Semiconductor
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18-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-20GHz 6.0mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：18 GHz，增益：12 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGF2023-01 |
TriQuint Semiconductor
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2-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 1.25mm GaN Discrete |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：15 dB，漏源电压 VDS：40 V，闸/... |
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TGF2023-02 |
TriQuint Semiconductor
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3-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 2.5mm GaN Discrete |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：15 dB，漏源电压 VDS：40 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连... |
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TGF2023-05 |
TriQuint Semiconductor
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5-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 5.0mm GaN Discrete |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：15 dB，漏源电压 VDS：40 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连... |
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TGF2023-10 |
TriQuint Semiconductor
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16-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 10mm GaN Discrete |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：8.7 dB，漏源电压 VDS：40 V，闸/源击穿电压：- 3.6 V，... |
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TGF2023-20 |
TriQuint Semiconductor
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17-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 20mm GaN Discrete |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：18 GHz，增益：15 dB，漏源电压 VDS：40 V，闸/源击穿电压：- 3 V，漏极连... |
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TGF2960-SD-T/R |
TriQuint Semiconductor
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SOT89 |
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射频GaAs晶体管 DC-5.0GHz 0.5 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：5 GHz，增益：15 db at 2.1 GHz，噪声系数：4... |
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TGF2961-SD-T/R |
TriQuint Semiconductor
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SOT89 |
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射频GaAs晶体管 DC-4Hz 1 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：4 GHz，增益：15 dB at 2.1 GHz，噪声系数：4... |
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TGF4112 |
TriQuint Semiconductor
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12-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-8.0GHz 5 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：2.3 GHz，增益：12.7 dB，正向跨导 gFS（最大值/... |
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TGF4118 |
TriQuint Semiconductor
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12-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-6.0GHz 7 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：2.3 GHz，增益：11.5 dB，正向跨导 gFS（最大值/... |
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TGF4124 |
TriQuint Semiconductor
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14 -Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-4.0GHz 10 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：2.3 GHz，增益：10.8 dB，正向跨导 gFS（最大值/... |
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TGF4230-SCC |
TriQuint Semiconductor
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4-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12.0GHz 0.7W HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：10 dB at 8.5 GHz，正向跨导 ... |
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TGF4240-SCC |
TriQuint Semiconductor
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6-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12.0GHz 1.4 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：12 GHz，增益：10 dB at 8.5 GHz，正向跨导 ... |
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TGF4250-SCC |
TriQuint Semiconductor
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12-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-10.5GHz 2.5 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：10.5 GHz，增益：8.5 dB at 8.5 GHz，正向... |
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TGF4260-SCC |
TriQuint Semiconductor
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20-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-10.5GHz 5 Watt HFET |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：HEMT，频率：10.5 GHz，增益：9.5 dB at 6 GHz，正向跨导... |
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TGF2021-08 |
TriQuint Semiconductor
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18-Pin-Die |
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射频GaAs晶体管 DC-12GHz 8mm Pwr pHEMT (0.35um) |
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| 参数：制造商：TriQuint，产品种类：射频GaAs晶体管，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：12 GHz，增益：11 dB，正向跨导 gFS（最大值/最小... |
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TGA2601-SM-T/R |
TriQuint Semiconductor
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QFN-16 |
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射频GaAs晶体管 800-3000MHz NF .7dB Gain 19dBm |
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| 参数：制造商：TriQuint，RoHS：是，技术类型：pHEMT，频率：0.8 GHz to 3 GHz，增益：19 dB at 2.6 GHz，噪声系数：0.7 ... |
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ATF-33143-BLKG |
Avago Technologies
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SOT-343 |
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射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
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| 参数：Broadcom Limited|带|-|停产|pHEMT FET|-|2GHz|15dB|4 V|305mA|0.5dB|80 mA|22dBm|5.5 V|... |
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ATF-33143-TR1G |
Avago Technologies
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SOT-343 |
|
射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
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| 参数：Broadcom Limited|卷带（TR）|-|停产|pHEMT FET|-|2GHz|15dB|4 V|305mA|0.5dB|80 mA|22dBm|5... |
