| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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CLLE1AX7R1A104M | TDK | 电容器阵列与网络 100000pF 20% 10Volts | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，电容：0.1 uF，容差：20 %，电压额定值：10 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度... | ||||||
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CLLE1AX7R1A154M | TDK | 电容器阵列与网络 0.15uF 10volts 20% | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，外壳长度：2 mm，外壳宽度：1.25 mm，外壳高度：0.5 mm，端接类型：SMD/SMT，系列：CLLE1A，包装形式：Re... | ||||||
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CLLE1AX7R1A224M | TDK | 电容器阵列与网络 0.22uF 10volts 20% | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，外壳长度：2 mm，外壳宽度：1.25 mm，外壳高度：0.5 mm，端接类型：SMD/SMT，系列：CLLE1A，包装形式：Re... | ||||||
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CLLE1AX7R1A334M | TDK | 1869 | 电容器阵列与网络 0.33uF 10volts 20% | ||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，电容：0.33 uF，容差：20 %，电压额定值：10 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长... | ||||||
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CLLE1AX7S0G105M | TDK | 电容器阵列与网络 1.0uF 4.0volts 20% | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，外壳长度：2 mm，外壳宽度：1.25 mm，外壳高度：0.5 mm，端接类型：SMD/SMT，系列：CLLE1A，包装形式：Re... | ||||||
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CLLE1AX7S0G155M | TDK | 电容器阵列与网络 1.5uF 4.0volts 20% | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，外壳长度：2 mm，外壳宽度：1.25 mm，外壳高度：0.5 mm，端接类型：SMD/SMT，系列：CLLE1A，包装形式：Re... | ||||||
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CLLE1AX7S0G225M/0.50 | TDK | 电容器阵列与网络 2.2uF 20% 4Volts | |||
| 参数：制造商：TDK，电容：2.2 uF，容差：20 %，电压额定值：4 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度：2 mm，外壳... | ||||||
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CLLE1AX7S0G225M/0.85 | TDK | 电容器阵列与网络 2.2uF 20% 4Volts | |||
| 参数：制造商：TDK，电容：2.2 uF，容差：20 %，电压额定值：4 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度：2 mm，外壳... | ||||||
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CLLE1AX7S0G225MT/0.50 | TDK | 电容器阵列与网络 2.2uF 20% 4Volts | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，电容：2.2 uF，容差：20 %，电压额定值：4 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度：... | ||||||
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CLLE1AX7S0G225MT/0.85 | TDK | 电容器阵列与网络 2.2uF 20% 4Volts | |||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，电容：2.2 uF，容差：20 %，电压额定值：4 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度：... | ||||||
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CLLE1AX7S0G475M | TDK | 3925 | 电容器阵列与网络 4.7uF 4.0volts 20% | ||
| 参数：制造商：TDK，RoHS：是，电容：4.7 uF，容差：20 %，电压额定值：4 V，元件数量：4，工作温度范围：- 55 C to + 125 C，外壳长度：... | ||||||
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CS20106D1C271K5 | Vishay/Dale | SIP-6 | 电容器阵列与网络 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：电容器阵列与网络，RoHS：否，电容：270 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，元件数量：5，工作温度范围：- 55 ... | ||||||
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CS20108D1C101K5 | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 100pF 10p/8caps 10% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：电容器阵列与网络，RoHS：否，电容：100 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，元件数量：7，工作温度范围：- 55 ... | ||||||
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CS20108D1C471K5 | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：电容器阵列与网络，RoHS：否，电容：330 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：20.32 mm，外壳宽度：... | ||||||
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CS20108D1X102K5 | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 Cap Net 1000pF 10% | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：1000 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：20.32 mm，外壳宽度：3.43 mm，外壳高度：... | ||||||
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CS20108D1X103K5 | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 .01uF 8pin 7cap | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.01 uF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：20.32 mm，外壳宽度：3.43 mm，外壳高度：... | ||||||
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CS20108D1X104K5 | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 Cap Net .1uF 10% | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.1 uF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：20.32 mm，外壳宽度：3.43 mm，外壳高度：7... | ||||||
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CS20108D1X104K5P | Vishay/Dale | SIP-8 | 电容器阵列与网络 0.1uF 10% X7R CAPNET | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：0.1 uF，容差：10 %，外壳长度：20.32 mm，外壳宽度：3.43 mm，外壳高度：7.62 mm，端接类型... | ||||||
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CS20110D1C101K5 | Vishay/Dale | SIP-10 | 电容器阵列与网络 100pF 10p/9cap 10% | ||
| 参数：制造商：Vishay，产品种类：电容器阵列与网络，RoHS：否，电容：100 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：25.4 mm，外壳宽度：3... | ||||||
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CS20110D1C151K5 | Vishay/Dale | SIP-10 | 电容器阵列与网络 150pF 10p/9cap 10% | ||
| 参数：制造商：Vishay，RoHS：否，电容：150 pF，容差：10 %，电压额定值：50 V，外壳长度：25.4 mm，外壳宽度：3.43 mm，外壳高度：7.... | ||||||
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