图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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NE02133-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN SILICON AMP | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... | ||||||
NE02133-R2-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... | ||||||
NE02133-R3-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Bulk,... | ||||||
NE02133-T1B | CEL | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency | |||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.07 A,封装形式:SOT-23,包装形式:Reel,安装风格:SMD... | ||||||
NE02133-T1B-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... | ||||||
NE02133-T1B-R2-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... | ||||||
NE02133-T1B-R3 | CEL | SOT-23 | 射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency | |||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:否,配置:Single,晶体管极性:NPN,集电极连续电流:0.07 A,封装形式:SOT-23,包装... | ||||||
NE02133-T1B-R3-A | CEL | 射频双极小信号晶体管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist | ||||
参数:制造商:CEL,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,包装形式:Taped,... | ||||||
NE02135 | NEC/CEL | 射频双极小信号晶体管 MICRO-X NPN HI-FREQ | ||||
参数:制造商:NEC,RoHS:否,配置:Single,工厂包装数量:200,... | ||||||
NE02139-T1 | CEL | 射频双极小信号晶体管 SOT-143 NPN HI FREQ | ||||
参数:制造商:CEL,RoHS:否,配置:Single,包装形式:Reel,工厂包装数量:3000,... | ||||||
NJM2129D | NJR | DIP-14 | 射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:700 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DIP-14,包... | ||||||
NJM2129M | NJR | DMP-14 | 射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... | ||||||
NJM2129M-TE1 | NJR | DMP-14 | 射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... | ||||||
NJM2129M-TE2 | NJR | DMP-14 | 射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-14,包... | ||||||
NJM2145D | NJR | DIP-16 | 射频双极小信号晶体管 RemoteInterface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DIP-16,最小工作温度:- 20 C,安装风格:Thro... | ||||||
NJM2145M | NJR | DMP-16 | 射频双极小信号晶体管 Remote Control Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-16,包... | ||||||
NJM2145M-TE2 | NJR | DMP-16 | 射频双极小信号晶体管 Remote Interface | |||
参数:制造商:NJR,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,功率耗散:300 mW,最大工作温度:+ 75 C,封装形式:DMP-16,包... | ||||||
KST24MTF | Fairchild Semiconductor | SOT-23-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial | |||
参数:onsemi|卷带(TR)|-|停产|NPN|100 mA|30 V|-|50nA(ICBO)|30 @ 8mA,10V|350 mW|620MHz|-|表面贴... | ||||||
KST5179MTF | Fairchild Semiconductor | SOT-23-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial | |||
参数:制造商:Fairchild Semiconductor,产品种类:射频双极小信号晶体管,RoHS:是,配置:Single,晶体管极性:NPN,最大工作频率:90... | ||||||
KSC838YBU | Fairchild Semiconductor | TO-92-3 | 射频双极小信号晶体管 NPN Epitaxial Sil | |||
参数:onsemi|散装|-|停产|NPN|30 mA|30 V|400mV @ 1mA,10mA|100nA(ICBO)|120 @ 2mA,12V|250 mW|... |
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