| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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SOT223-1.jpg)
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BFG35,115 | NXP Semiconductors | SC-73 | 射频双极小信号晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：4000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG403W,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 NPN 4.5V 17GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：17000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG410W,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：22000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG410W,135 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 4.5V 10mA 54mW 50 22GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：4.5 V，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电... | ||||||
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BFG424F T/R | NXP Semiconductors | SOT-343 | 射频双极小信号晶体管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：25000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG424F,115 | NXP Semiconductors | 4-SO | 射频双极小信号晶体管 NPN 25GHZ WIDEBAND | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：25 GHz，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BFG424W,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 NPN 25GHZ WIDEBAND TRANSISTOR | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：25000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG425W,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 NPN 4.5V 25GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：25000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG425W,135 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 4.5V 25mA 135mW 50 25GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：4.5 V，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电... | ||||||
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BFG480W,115 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 NPN 4.5V 21GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：23000 MHz，集电极—发射极最大电压 ... | ||||||
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BFG480W,135 | NXP Semiconductors | CMPAK-4 | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 4.5V 250mA 360mW 40 21GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：4.5 V，发射极 - 基极电压 VEBO：1 V，集电... | ||||||
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BFG505 T/R | NXP Semiconductors | SOT-143 | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG505,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 VCE... | ||||||
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BFG505/X T/R | NXP Semiconductors | SOT-143 | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG505/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG505/X,235 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 18mA 150mW 60 9GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V，集... | ||||||
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BFG520,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 NPN 6V 70mA 9GHZ | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9 GHz，集电极—发射极最大电压 VCEO... | ||||||
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BFG520,235 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 Single NPN 15V 70mA 300mW 60 9GHz | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V，发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V，集... | ||||||
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BFG520/X T/R | NXP Semiconductors | SOT-143 | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：NPN，最大工作频率：9000 MHz，集电极—发射极最大电压 V... | ||||||
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BFG520/X,215 | NXP Semiconductors | SOT-143B | 射频双极小信号晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频双极小信号晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：NPN，集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V，发射极 - 基极电... | ||||||
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