| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FMG1G75US60L | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶体管 600V/75A/Module | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FMG2G100US60_Q | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA-7 | IGBT 晶体管 600V/100A/2 | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.2... | ||||||
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FMG2G150US120 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FMG2G300US60E_Q | Fairchild Semiconductor | 7PM-HA-7 | IGBT 晶体管 Molding Type Module | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，... | ||||||
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FMG2G50US120 | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶体管 1200V 50A IGBT Module | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3 ... | ||||||
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FMG2G75US120 | Fairchild Semiconductor | 7PM-GA | IGBT 晶体管 1200V 75A IGBT Module | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，配置：Dual，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3 ... | ||||||
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FNB41560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模块（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶体管 Motion SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FNA40560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模块（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶体管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FNA40860 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模块（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶体管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FNA41560 | Fairchild Semiconductor | 26-PowerDIP 模块（1.024"，26.00mm） | IGBT 晶体管 Smart Power Module Motion-SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FP25R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | IGBT 晶体管 1200V 25A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... | ||||||
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FP15R12KE3G | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | 5 | IGBT 晶体管 1200V 15A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：1.7 ... | ||||||
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FP15R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM2-24 | 4 | IGBT 晶体管 1200V 15A PIM | |
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... | ||||||
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FP40R12KE3G | Infineon Technologies | EconoPIM3-24 | IGBT 晶体管 1200V 40A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：否，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：2.3 ... | ||||||
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FP50R12KS4C | Infineon Technologies | EconoPIM3-24 | IGBT 晶体管 1200V 50A PIM | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Hex，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.2 ... | ||||||
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FPAB30BH60B | Fairchild Semiconductor | 27-PowerDIP 模块（1.205"，30.60mm） | IGBT 晶体管 SPM for Front-End Rectifier;Motion-SPM | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，在25 C的连续... | ||||||
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FPAL10SH60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V/10A/SPM/HIGH | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FPAL15SH60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V/15A/IPM | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FPAL15SL60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V/15A/SPM | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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FPAL15SM60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 600V/15A/ | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：否，... | ||||||
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