| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGT32N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：20... | ||||||
|
|
IXGT32N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V，集电极—射极饱和电压：5 V，栅极/发射极最大电压：20 V... | ||||||
|
|
IXGT32N60BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGT32N60C | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGT32N90B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGT32N90B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 32 Amps 900V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGT35N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.3 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.3 V，栅极/发射极最大电压：+/... | ||||||
|
|
IXGT39N60BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 39 Amps 600V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGT40N120B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGT40N60B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.7 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
|
|
IXGT40N60B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.7 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGT40N60C2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
|
|
IXGT40N60C2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
|
|
IXGT45N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 1... | ||||||
|
|
IXGT50N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... | ||||||
|
|
IXGT50N60B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.0 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2 V，栅极/发射极最大电压：+/- 2... | ||||||
|
|
IXGT50N60C2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGT50N90B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 900V 2.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：900 V，集电极—射极饱和电压：2.7 V，栅极/发射极最大电压：+/-... | ||||||
|
|
IXGT50N90B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 900V | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—射极饱和电压：2.7 V，封装形式：TO-268-3，包装形式：Tube，安装风格：SMD/SMT，工厂包装数量：30，... | ||||||
|
|
IXGT60N60 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.7 Rds | ||
| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：1.7 V，栅极/发射极最大电压：20 ... | ||||||
83/162 首页 上页 [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] 下页 尾页
