图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGT24N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200 V 3.3 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:3.3 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
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IXGT24N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200 V 5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:5 V,栅极/发射极最大电压:20 V... | ||||||
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IXGT24N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 170V 6.0 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—射极饱和电压:6 V,封装形式:TO-268-3,包装形式:Tube,安装风格:SMD/SMT,工厂包装数量:30,... | ||||||
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IXGT24N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600 V 1.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
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IXGT24N60C | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.3 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGT24N60CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGT25N160 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 75 Amps 1600V 2.5 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
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IXGT25N250 | Ixys | IGBT 晶体管 | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
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IXGT28N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.5 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
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IXGT28N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
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IXGT28N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGT28N60BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGT30N120B3D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 60 Amps 1200V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.5 V,最大工作温度:+ 150 C,封装形式:TO-... | ||||||
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IXGT30N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 50 Amps 1200V 3.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
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IXGT30N60B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.8 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGT30N60B2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:20 ... | ||||||
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IXGT30N60B2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 600V 1.8 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.8 V,栅极/发射极最大电压:+/-... | ||||||
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IXGT30N60C2 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:20 ... | ||||||
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IXGT30N60C2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 600V 2.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:20 ... | ||||||
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IXGT31N60D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... |
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