图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGR60N60C3C1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
IXGR60N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 60 Amps 600V | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅极/发射极最大电压:20 ... | ||||||
IXGR60N60U1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 1.7 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGR72N60C3D1 | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 75A | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
IXGR80N60B | Ixys | ISOPLUS247? | IGBT 晶体管 85 Amps 600V 2.3 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGT10N170 | Ixys | TO-268AA | 76 | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 4 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:4 V,栅极/发射极最大电压:20 V... | ||||||
IXGT10N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 20 Amps 1700 V 7 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:6 V,栅极/发射极最大电压:20 V... | ||||||
IXGT12N120A2D1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V 2.7 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGT15N120B | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.2 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
IXGT15N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
IXGT15N120CD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
IXGT16N170 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:3.5 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
IXGT16N170A | Ixys | TO-268AA | 660 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:5 V,栅极/发射极最大电压:20 V... | ||||||
IXGT16N170AH1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—射极饱和电压:5 V,封装形式:TO-268-3,包装形式:Box,安装风格:SMD/SMT,工厂包装数量:30,... | ||||||
IXGT20N 60B | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGT20N 60BD1 | Ixys | TO-268AA-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 600 V 2.0 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
IXGT20N100 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,集电极—射极饱和电压:3 V,栅极/发射极最大电压:+/- ... | ||||||
IXGT20N120 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
IXGT20N120B | Ixys | TO-268-3 | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.4 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
IXGT20N120BD1 | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 40 Amps 1200V 3.4 V Rds | |||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... |
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