图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IXGN50N60BD3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGN60N60 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 ULTRA LOW VCE 600V 100A | ||
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—... | ||||||
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IXGN60N60C2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅... | ||||||
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IXGN60N60C2D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 1.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single Dual Emitter,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.5 V,栅... | ||||||
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IXGN72N60A3 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 72 Amps 600V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:10,... | ||||||
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IXGN72N60C3H1 | Ixys | SOT-227B | 20 | IGBT 晶体管 G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGN80N60A2 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.35 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
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IXGN80N60A2D1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 80 Amps 600V 1.35 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.35 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
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IXGN82N120C3H1 | Ixys | SOT-227B | IGBT 晶体管 130Amps 1200V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGP10N60A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 20Amps 600V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGP12N100 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGP12N100A | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGP12N100AU1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24Amps 1000V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,包装形式:Tube,... | ||||||
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IXGP12N120A2 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 1200V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
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IXGP12N60B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGP12N60C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGP12N60CD1 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
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IXGP15N100C | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 30 Amps 1000V 3.5 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
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IXGP15N120B | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:3.2 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
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IXGP16N60B2 | Ixys | TO-220-3 | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,栅极/发射极最大电压:+/-... |
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