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点击查看IXBT16N170A参考图片 IXBT16N170A Ixys TO-268AA 25 IGBT 晶体管 1700V 16A
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,...
点击查看IXBT42N170参考图片 IXBT42N170 Ixys TO-268AA 90 IGBT 晶体管 BIMOSFET 1700V 75A
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V...
点击查看IXBT42N170A参考图片 IXBT42N170A Ixys TO-268AA IGBT 晶体管
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:6 V,栅极/发射极最大电压:20 V...
点击查看IXBT6N170参考图片 IXBT6N170 Ixys TO-268AA 30 IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,栅极/发射极最大电压:20...
点击查看IXGH12N60B参考图片 IXGH12N60B Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH12N60BD1参考图片 IXGH12N60BD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH12N60C参考图片 IXGH12N60C Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH12N60CD1参考图片 IXGH12N60CD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH12N90C参考图片 IXGH12N90C Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 24 Amps 900V 3 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15...
点击查看IXGH15N120B参考图片 IXGH15N120B Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C...
点击查看IXGH15N120B2D1参考图片 IXGH15N120B2D1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 2.7 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,包装形式:Tube,集电极最大连续电流 Ic:30 A,工厂包装数量:30,...
点击查看IXGH15N120BD1参考图片 IXGH15N120BD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1...
点击查看IXGH15N120CD1参考图片 IXGH15N120CD1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.8 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1...
点击查看IXGH16N170参考图片 IXGH16N170 Ixys TO-247AD 6,610 IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C...
点击查看IXGH16N170A参考图片 IXGH16N170A Ixys TO-247AD 45 IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C...
点击查看IXGH16N170AH1参考图片 IXGH16N170AH1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1...
点击查看IXGH16N60B2D1参考图片 IXGH16N60B2D1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,...
点击查看IXGH16N60C2D1参考图片 IXGH16N60C2D1 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3 V Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,...
点击查看IXGH17N100参考图片 IXGH17N100 Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 17 Amps 1000V 4 Rds
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1...
点击查看IXGH17N100A参考图片 IXGH17N100A Ixys TO-247AD IGBT 晶体管 17 Amps 1000V
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1...

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