图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXBT16N170A | Ixys | TO-268AA | 25 | IGBT 晶体管 1700V 16A | |
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,... | ||||||
![]() |
IXBT42N170 | Ixys | TO-268AA | 90 | IGBT 晶体管 BIMOSFET 1700V 75A | |
参数:制造商:IXYS,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V... | ||||||
![]() |
IXBT42N170A | Ixys | TO-268AA | IGBT 晶体管 | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:6 V,栅极/发射极最大电压:20 V... | ||||||
![]() |
IXBT6N170 | Ixys | TO-268AA | 30 | IGBT 晶体管 12 Amps 1700V 3.6 Rds | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,集电极—射极饱和电压:2.3 V,栅极/发射极最大电压:20... | ||||||
![]() |
IXGH12N60B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGH12N60BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGH12N60C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGH12N60CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.7 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGH12N90C | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 24 Amps 900V 3 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:900 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 15... | ||||||
![]() |
IXGH15N120B | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
![]() |
IXGH15N120B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 2.7 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,包装形式:Tube,集电极最大连续电流 Ic:30 A,工厂包装数量:30,... | ||||||
![]() |
IXGH15N120BD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGH15N120CD1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.8 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGH16N170 | Ixys | TO-247AD | 6,610 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
![]() |
IXGH16N170A | Ixys | TO-247AD | 45 | IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds | |
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C... | ||||||
![]() |
IXGH16N170AH1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGH16N60B2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 2.3 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,... | ||||||
![]() |
IXGH16N60C2D1 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 16 Amps 600V 3 V Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:20 V,最大工作温度:+ 150 C,... | ||||||
![]() |
IXGH17N100 | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V 4 Rds | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... | ||||||
![]() |
IXGH17N100A | Ixys | TO-247AD | IGBT 晶体管 17 Amps 1000V | ||
参数:制造商:IXYS,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1000 V,栅极/发射极最大电压:+/- 20 V,最大工作温度:+ 1... |
68/163 首页 上页 [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] 下页 尾页