图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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IRGSL10B60KDPBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IRGSL14C40LPBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 430V Low-Vceon | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:430 V,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IRGSL30B60KPBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IRGSL4062DPBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 600V Low VCEon | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1... | ||||||
IRGSL4B60KD1PBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IRGSL6B60KDPBF | International Rectifier | TO-262 | IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz | |||
参数:制造商:International Rectifier,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
IGD01N120H2 | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IGD06N60T | Infineon Technologies | TO-252-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
IGP01N120H2 | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IGP03N120H2 | Infineon Technologies | TO-263-3 | IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,栅极/发射极最大电压:+... | ||||||
IGP06N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
IGP10N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
IGP15N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
IGP20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT 600V | ||||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Tube,工厂包装数量:500,零件号别名:IGP20N60H3XK IGP20N60H3XKSA1 SP00... | ||||||
IGP20N60H3HK | Infineon Technologies | TO-220AB | IGBT 晶体管 Discrete Semiconductor Pr | |||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,在25 C的连续集电极电流:40 A,功率耗散:170... | ||||||
IGP30N60H3 | Infineon Technologies | TO-220AB | IGBT 晶体管 600V 30A 187W | |||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:1.95 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25... | ||||||
IGP30N60T | Infineon Technologies | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | |||
参数:制造商:Infineon,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/发射极最大电压:+/... | ||||||
IGP40N65F5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | |||
参数:制造商:Infineon,集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V,集电极—射极饱和电压:2.1 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续集电极... | ||||||
IGP40N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | PG-TO220-3 | 500 | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | ||
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V,集电极—射极饱和电压:1.6 V,栅极/发射极最大电压... | ||||||
IGP40N65H5 | Infineon Technologies | PG-TO-220-3 | IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT | |||
参数:制造商:Infineon,集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V,集电极—射极饱和电压:2.1 V,栅极/发射极最大电压:20 V,在25 C的连续集电极... |
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