| 图片 |
型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
PDF资料 |
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IXSK80N60B |
Ixys
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TO-264AA（IXSK） |
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IGBT 晶体管 80 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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IXSM40N60A |
Ixys
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TO-204AA-3 |
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IGBT 晶体管 40 Amps 600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... |
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IXSN35N100U1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 35 Amps 1000V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：1000 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... |
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IXSN35N120AU1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 35 Amps 1200V 4 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... |
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IXSN50N60BD2 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSN50N60BD3 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSN52N60AU1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 80 Amps 600V 3.0 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSN55N120A |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 80 Amps 1200V 4 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... |
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IXSN55N120AU1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 110 Amps 1200V 4 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20... |
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IXSN62N60U1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 90 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSN80N60AU1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 80 Amps 600V |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSN80N60BD1 |
Ixys
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SOT-227B |
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IGBT 晶体管 160 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single Dual Emitter，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 ... |
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IXSP10N60B2D1 |
Ixys
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TO-220-3 |
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IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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IXSP15N120B |
Ixys
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TO-220-3 |
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IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.4 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... |
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IXSP20N60B2D1 |
Ixys
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TO-220-3 |
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IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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IXSP24N60B |
Ixys
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TO-220-3 |
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IGBT 晶体管 48 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：20 ... |
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IXSQ10N60B2D1 |
Ixys
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TO-3P-3 |
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IGBT 晶体管 10 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极/发射极最大电压：+/-... |
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IXSQ20N60B2D1 |
Ixys
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TO-3P |
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IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.5 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.5 V，栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA，功率耗... |
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IXSR35N120BD1 |
Ixys
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ISOPLUS247? |
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IGBT 晶体管 70 Amps 1200V 3.6 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V，集电极—射极饱和电压：3.6 V，栅极/发射极最大电压：+/... |
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IXSR40N60BD1 |
Ixys
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ISOPLUS247? |
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IGBT 晶体管 70 Amps 600V 2.2 Rds |
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| 参数：制造商：IXYS，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，栅极/发射极最大电压：+/- 20 V，最大工作温度：+ 15... |
