| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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FGP5N60LS | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 600V/5A Field Stop Low Vcesat | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FGP5N60UFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220-3 | IGBT 晶体管 600V, 5A Field Stop | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP7N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 600V 7A RUF IGBT CO-PAK | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 ... | ||||||
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FGP90N30TU | Fairchild Semiconductor | TO-220AB-3 | IGBT 晶体管 300V 90A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF10N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2 V，在25 C的连... | ||||||
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FGPF120N30TU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 120A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF15N60UNDF | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V，集电极—射极饱和电压：2.2 V，在25 C... | ||||||
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FGPF30N30 | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 30A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF30N30DTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 30A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF30N30TDTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 30A PNP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF30N30TTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 30A PDP Trench IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF30N45TTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 450V 30A PDP Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：450 ... | ||||||
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FGPF4533 | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 330V 50A 4th Gen PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FGPF4536 | Fairchild Semiconductor | TO-220F | 601 | IGBT 晶体管 360V 50A 4TH GEN PDP IGBT | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：360 ... | ||||||
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FGPF45N45TTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 450V 45A PDP Trench | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：450 ... | ||||||
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FGPF4633RDTU | Fairchild Semiconductor | IGBT 晶体管 N-ch / 70A 330V 4G PDP Trench IGBT | |||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，RoHS：是，包装形式：Tube，工厂包装数量：50，... | ||||||
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FGPF4633TU | Fairchild Semiconductor | TO-220F | 750 | IGBT 晶体管 330V PDP | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 V，集电极—射极饱和... | ||||||
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FGPF50N30TTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 50A PDP | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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FGPF50N33BTTU | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | 852 | IGBT 晶体管 330V, 50A PDP | |
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：330 ... | ||||||
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FGPF70N30 | Fairchild Semiconductor | TO-220F-3 | IGBT 晶体管 300V 70A PDP IGBT | ||
| 参数：制造商：Fairchild Semiconductor，产品种类：IGBT 晶体管，RoHS：是，配置：Single，集电极—发射极最大电压 VCEO：300 ... | ||||||
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