购物车0种商品
IC邮购网-IC电子元件采购商城
图片 型号 品牌 封装 数量 描述 PDF资料
点击查看STGIPS14K60T参考图片 STGIPS14K60T STMicroelectronics 25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) IGBT 晶体管 SLLIMM IPM 3-Phase 14A 600V Rugged IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极—射极饱和电压:2....
点击查看STGIPS20K60参考图片 STGIPS20K60 STMicroelectronics 25-PowerDIP 模块(0.993",25.23mm) IGBT 晶体管 IGBT IPM 17A-600V SDIP-25L Molded
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—射极饱和电压:2.2 V,在25 C的连续集电极电流:17 A,...
点击查看STGP100N30参考图片 STGP100N30 STMicroelectronics TO-220 849 IGBT 晶体管 330volt 90 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:330 V,栅极/...
点击查看STGP10NB37LZ参考图片 STGP10NB37LZ STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:1.8 V,集电极...
点击查看STGP10NB60S参考图片 STGP10NB60S STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP10NB60SD参考图片 STGP10NB60SD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP10NB60SFP参考图片 STGP10NB60SFP STMicroelectronics TO-220FP IGBT 晶体管 N-CH 10 A 600V PowerMESH
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...
点击查看STGP10NC60H参考图片 STGP10NC60H STMicroelectronics TO-220 65 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP10NC60HD参考图片 STGP10NC60HD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP10NC60K参考图片 STGP10NC60K STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP10NC60KD参考图片 STGP10NC60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP10NC60S参考图片 STGP10NC60S STMicroelectronics TO-220 883 IGBT 晶体管 10A-600V fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGP12NB60HD参考图片 STGP12NB60HD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP12NB60K参考图片 STGP12NB60K STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP12NB60KD参考图片 STGP12NB60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 18 Amp
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP14N60D参考图片 STGP14N60D STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 14A 600V SHRT CIR RUGGED IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Tube,...
点击查看STGP14NC60KD参考图片 STGP14NC60KD STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP18N40LZ参考图片 STGP18N40LZ STMicroelectronics TO-220 IGBT 晶体管 400V INTRN CLMP IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:360 V,栅极/...
点击查看STGP19NC60H参考图片 STGP19NC60H STMicroelectronics TO-220 957 IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极...
点击查看STGP19NC60HD参考图片 STGP19NC60HD STMicroelectronics TO-220 19,170 IGBT 晶体管 19 A - 600 V very fast IGBT
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/...

31/173 首页 上页 [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] 下页 尾页 

IC电子元件查询
IC邮购网电子元件品质保障