图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STGB3NC120HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK(TO-263) | IGBT 晶体管 IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V,集电极—射极饱和电压:2... | ||||||
STGB6NC60HD-1 | STMicroelectronics | I2PAK | IGBT 晶体管 N Ch 6A 600V | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGB6NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB6NC60HT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 174 | IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NB40LZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 14 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NB60FDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 v,集电极... | ||||||
STGB7NB60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NB60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NB60MDT4 | STMicroelectronics | D2PAK-3 | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:否,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NC60HDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,集电极... | ||||||
STGB7NC60HT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 IGBT 600 V Power Bipolar D2PAK Trans | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,... | ||||||
STGB8NC60KDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGB8NC60KT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,818 | IGBT 晶体管 N Ch 1000V 2.5A Pwr MOSFET | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGBL6NC60DIT4 | STMicroelectronics | D2PAK | IGBT 晶体管 6 A 600V HYPER FAST IGBT | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,... | ||||||
STGBL6NC60DT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 917 | IGBT 晶体管 600V 6A N-Channel | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGD10NC60HDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 600 Volt 10 Amp | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGD10NC60HT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGD10NC60KDT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 N Ch 600V 10A | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGD10NC60KT4 | STMicroelectronics | DPAK | IGBT 晶体管 IGBT | |||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,配置:Single,集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V,栅极/... | ||||||
STGD10NC60SDT4 | STMicroelectronics | DPAK | 1,964 | IGBT 晶体管 10 A-600 V fast IGBT | ||
参数:制造商:STMicroelectronics,产品种类:IGBT 晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,... |
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